RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
42
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
34
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
3055
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KL9 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-D8KQ9 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link