RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
42
Wokół strony -91% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
22
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
3135
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link