RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
80
Wokół strony 48% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
80
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
1775
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link