RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
42
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
33
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
2757
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link