RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
65
71
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
65
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2041
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology ITC 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link