RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
71
Wokół strony -122% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
32
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2706
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link