RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
19.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
71
Wokół strony -109% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
34
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
19.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3527
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link