RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
71
Wokół strony -122% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
32
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, , CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3399
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link