RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
71
Wokół strony -87% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
38
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2404
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link