RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
50
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
9.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
50
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2451
2512
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link