RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
14.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
40
Wokół strony -43% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
9.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
28
Prędkość odczytu, GB/s
15.1
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.3
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2532
2931
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ8GX3M1A1600C10 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link