RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
35
Wokół strony -25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2312
3736
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link