RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
85
Wokół strony 59% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.7
11.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
6.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
85
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
11.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
6.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2312
1118
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link