RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB vs Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
6.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
39
Wokół strony -39% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
28
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.2
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2322
2312
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB Porównanie pamięci RAM
Transcend Information JM1600KLN-4GK 2GB
Micron Technology ITC 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link