RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Wynik ogólny
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
39
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
9.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
23
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.2
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2322
3317
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB Porównanie pamięci RAM
Transcend Information JM1600KLN-4GK 2GB
Micron Technology ITC 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link