RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
36
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
36
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
3422
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link