RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
29
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
3582
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Nanya Technology NT512T64UH8B0FN-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70QH0-CK0 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link