RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
42
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
34
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2001
3178
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR5030EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link