RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB vs G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
42
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
25
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2001
3668
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR5030EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link