RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
42
Wokół strony -83% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
23
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2001
2442
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR5030EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link