RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
43
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.7
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.7
9.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
20.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.3
17.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2285
4048
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link