RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
43
Wokół strony -87% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
9.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
23
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.3
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2285
2637
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link