RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Wynik ogólny
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
74
Wokół strony 42% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.6
13.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
74
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.3
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2285
1616
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link