RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Porównaj
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Wynik ogólny
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
33
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
33
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2646
2795
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
A-DATA Technology HY64C1C1624ZY 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link