RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Porównaj
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Wynik ogólny
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
25
Wokół strony -25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
20
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2646
3540
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link