RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Porównaj
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
31
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
31
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2646
3614
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Kllisre 0000 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link