RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
85
Wokół strony 71% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
5.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
85
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
12.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
5.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
1277
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link