RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
25
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
22
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3012
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Kingston KHX16 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link