RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
25
Wokół strony -47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
17
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
21.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3481
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
MDT Technologies GmbH MDT 512M DDR2-66 512MB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link