RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
27
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.7
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
27
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
17.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3956
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link