RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
29
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.8
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.9
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
20.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3901
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link