RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
9.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
43
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
34
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
2597
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link