RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
43
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
35
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
3145
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link