RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
43
Wokół strony -95% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
22
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
3115
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905316-131.A00LF 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link