RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
43
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.5
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
28
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
16.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
3741
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link