RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
43
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.0
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
34
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
3697
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link