RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
43
Wokół strony -34% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
32
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
2819
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link