RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
12.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
59
Wokół strony -168% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
22
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2646
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link