RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
59
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3199
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link