RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
18.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
59
Wokół strony -146% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
18.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
4114
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link