RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
59
Wokół strony -79% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3596
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link