RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
59
Wokół strony -84% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
2,123.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2307
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link