RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
59
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3461
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link