RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
48
69
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
48
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
2080
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link