RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
58
Wokół strony -222% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
18
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
20.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
3722
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link