RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
58
Wokół strony -132% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
3849
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBALT 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link