RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
46
Wokół strony -84% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
25
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3729
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link