RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
46
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
35
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2845
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link