RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
46
Wokół strony -142% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.7
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
19
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
20.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3724
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link