RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
46
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
3200
Wokół strony 7.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
27
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
23400
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3366
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link